シリコンウエーハーの切り取り方法。

yukariさん

質問日時： 2012/01/27 05:33

を小さなチップに切り取るのは大きなウエーハーをどのようにして、切り取るのでしょうか。カッターなどで薄くスライスするのでしょうか。またその時、暑さはどのくらいなのでしょうか？
よろしくお願いします。

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くにっちさん

「ダイシング」といいます
http://japan.renesas.com/company_info/fab/line/line/line14_b.html

非常に薄い円盤にダイヤモンドの粉を塗った物で切ります
http://www.disco.co.jp/jp/products/blade/index.html

くにっちさんへのお礼 お礼日時： 2012/01/27 11:29

COSMEMANさん

ダイシングブレードを使う方法とレーザー切断する方法があります。

http://www.ffti.jp/product/tokushukakou.html

ダイシングブレード
http://www.asahidia.co.jp/pdct_i03_p07.shtml

レーザー切断
http://www.gsiglasers.jp.hosting3.zenwebsolutions.com/LaserProcesses.aspx?page=91

COSMEMANさんへのお礼 お礼日時： 2012/01/27 15:18

同人産業さん

1,ダイヤモンドダイサー
2,レーザーダイサー
3,超音波ダイサー
以上、一般的なチップ切断機があります。

シリコンウェハーを試験用途で切るときはガラスカッターで切る場合も
あります。

同人産業さんへのお礼 お礼日時： 2012/01/27 15:14

やまさん

ダイシングする時に一番重要なことは回路にダメージを与えないことです。
特にチップを切り離す時に、チップと刃が当たってダメージを与えます。
このため、最近のチップの切り出しは以下の手順で行われています。

１、Waferを固定して、waferを洗浄しながら厚みの半分程度の150um程度まで溝を切る。
２、waferを洗浄、乾燥させて、回路の表面側にテープを張る。
３、Waferの裏面側を研磨して、100um程度まで薄くする。
４、Waferを洗浄、乾燥させて、テープにUV光を当てて、チップを取り出し、リードフレームに接着（ダイボンド）します。

この方法ですと回路面のダメージを少なくしてチップを切り取ることができます。
なお、Waferを切る時や研磨する時に静電気が発生しますので、抵抗を低くした洗浄液で洗いながら行うことで、静電気によるダメージも防ぐ必要がります。