SiH4とN2Oの反応性について

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SiH4とN2Oの反応性について

gomywayさん
質問日時: 2013/04/02 17:55

当方、半導体真空装置の設計を勉強中ですが、チャンバーまでにいたるまでのSiH4(シラン)とN2O(二窒化酸素)を混合させる配管構造をとるとき両ガスの流量と配管内圧力についての両ガスを反応させない条件を知る必要があります。どなたか参考になる文献など教えていただけないでしょうか?

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回答1
回答日時 : 2013/04/02 20:49

chokmahさん

http://www7.ipdl.inpit.go.jp/Tokujitu/tjkta.ipdl?N0000=108
特許庁の公報テキスト検索から技術情報を勉強できます。

生産技術の方だと思いますが、依頼元が自社の研究開発部の場合はその人間と深く話し合った方がいいです。
たぶんですが、配管途中でシランと一酸化二窒素を混ぜるのではない気がします。
それぞれ配管を独立させてチャンバー内で二つの気体を合流させるような気がします。
また単結晶を製造するのか薄膜を形成させたいのかわかりませんが、それらを製造するには上方とか横からとかの気体を吹き付ける位置というのも重要になってきます。

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chokmahさんへのお礼 お礼日時: 2013/04/04 12:41

ご回答ありがとうございました。
今対象のものは配管途中でSiH4とN2Oが混ざります。
ですので、その配管の圧力による反応性を調べたいと考えております。

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回答2
回答日時 : 2013/04/03 17:30

KUNIさん

http://isms.admb.ibaraki.ac.jp/sozai/anei/gas/koushuukai2007.11.21.pdf#search='SiH4%E3%81%A8N2O%E3%81%AE%E5%8F%8D%E5%BF%9C'
は概論すぎますか?

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KUNIさんへのお礼 お礼日時: 2013/04/04 12:42

ご回答ありがとうございました。
ご紹介いただいた資料は保存し活用させていただきます。

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